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PBSS4032PD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PBSS4032PD |
| 參數(shù)屬性 | PBSS4032PD 封裝/外殼為SC-74，SOT-457；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 2.7A 6TSOP |
| 功能描述 | 30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封裝外殼 | SC-74，SOT-457 |
| 文件大小 |
190.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-12 18:14:00 |
PBSS4032PD規(guī)格書詳情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4032ND.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ Optimized switching time
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High energy efficiency due to less heat generation
■ AEC-Q101 qualified
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ Battery-driven devices
■ Power management
■ Charging circuits
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PBSS4032PD,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
395mV @ 300mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 1A，2V
- 頻率 - 躍遷：
104MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-74，SOT-457
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 30V 2.7A 6TSOP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXP |
24+ |
SOT23-6L |
45000 |
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
QFN40 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT23 |
9850 |
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詢價 | ||
NEXP |
新年份 |
SOT23-6L |
16550 |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-457 |
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詢價 | ||
NXP |
11+ |
SOT23 |
1000 |
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詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA/ |
3000 |
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詢價 | ||
NXP |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-457 |
30000 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-457 |
8080 |
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詢價 |
