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PBSS4032PT

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurre

恩XP

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PBSS4032PT

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bn/marking.html">BN；Package：SOT23；30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration *AEC-Q101qualified *SmallerrequiredPrinted-CircuitBo

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安世安世半導體(中國)有限公司

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PBSS4032PT

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN complement: PBSS4032NT.\n; ? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n? Optimized switching time\n? High collector current capability IC and ICM\n? High collector current gain (hFE) at high IC\n? High energy efficiency due to less heat generation\n? AEC-Q101 qualified\n? Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) ar;

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PBSS4032PT

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 ??18 December 2009

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PBSS4032PT

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

恩XP

恩XP

PBSS4032PT-Q

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/bn/marking.html">BN；Package：SOT23；30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor

1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4032NT-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Optimizedswitchingtime ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM

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PBSS4032PT_15

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS4032PT-215

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 ??18 December 2009

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30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor

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PBSS4032PT,215

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB

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技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    SOT23

  • Size (mm)：

    2.9 x 1.3 x 1

  • Polarity：

    PNP

  • Ptot [max] (mW)：

    1100

  • VCEO [max] (V)：

    -30

  • IC [max] (A)：

    -2.4

  • ICM [max] (A)：

    -5

  • hFE [min]：

    200

  • hFE [typ]：

    320

  • fT [typ] (MHz)：

    160

  • RCEsat [typ] (mΩ)：

    110

  • RCEsat [max] (mΩ)：

    165

  • VCEsat [max] (mV)：

    -375

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
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NXP/恩智浦全新特價PBSS4032PT即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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原廠
9600
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