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PBSS4130PANP

30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.\n; ? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n? High collector current capability IC and ICM\n? High collector current gain hFE at high IC\n? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n? High efficiency due to less heat generation\n? AEC-Q101 qualified\n;

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

Nexperia

PBSS4130PANP

30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4130PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5130PAP. Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emitte

恩XP

恩XP

PBSS4130PANP

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2f/marking.html">2F；Package：DFN2020-6；30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PBSS4130PAN.PNP/PNPcomplement:PBSS5130PAP. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollect

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PBSS4130PANP_15

30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PBSS4140U

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原廠

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技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN2020-6

  • Size (mm)：

    2 x 2 x 0.65

  • Product status：

    Production

  • Polarity：

    NPN/PNP

  • Nr of transistors：

    2

  • VCEO [max] (V)：

    30

  • IC [max] (A)：

    1

  • fT [typ] (MHz)：

    165

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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SOT1118
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35000
絕對原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
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更多PBSS4130PANP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:13:00

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