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PBSS5230PAP

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2h/marking.html">2H；Package：DFN2020-6；30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec

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安世安世半導體(中國)有限公司

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PBSS5230PAP

30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.\n NPN/PNP complement: PBSS4230PANP. NPN/NPN complement: PBSS4230PAN.\n; ? Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n? High collector current capability IC and ICM\n? High collector current gain hFE at high IC\n? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements\n? High energy efficiency due to less heat generation\n? AEC-Q101 qualified\n;

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PBSS5230PAP

30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

恩XP

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30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

恩XP

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PBSS5230PAP-Q

30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor

Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?HighcollectorcurrentgainhFEathighIC ?ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements ?Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration ?Qualifiedaccordi

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PBSS5230PAP-Q

30 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat double transistor

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技術參數

  • Package name：

    DFN2020-6

  • Size (mm)：

    2 x 2 x 0.65

  • Product status：

    Production

  • Polarity：

    PNP

  • Nr of transistors：

    2

  • Ptot [max] (mW)：

    1040

  • VCEO [max] (V)：

    -30

  • IC [max] (A)：

    -2

  • VCEsat [max] (PNP) (mV)：

    -390

  • RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)：

    195

  • hFE [min]：

    260

  • fT [typ] (MHz)：

    95

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更多PBSS5230PAP供應商 更新時間2025-8-2 14:13:00

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