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PBSS5230T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5230T
廠商型號

PBSS5230T

參數(shù)屬性

PBSS5230T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 2A TO236AB

功能描述

30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

3G

封裝外殼

TO-236AB / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

463.36 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-23 14:30:00

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PBSS5230T規(guī)格書詳情

Features and benefits

* Low collector-emiter saturation voltage

VCEsat

* High collector current capability:

IC and ICM

* Higher efficiency leading to less heat

generation

* AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5230T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    350mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 2A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
23+
SOT-23
60000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NXP/恩智浦
22+
SOT-23
25000
只有原裝絕對原裝,支持BOM配單!
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Nexperia
24+
NA
3481
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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NXP
20+
SOT-23
43000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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NXP(恩智浦)
21+
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
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NXP(恩智浦)
22+
NA
6000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價
NXP
23+
SOT23-3
12800
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
詢價
SK
22+
SOT-23
9000
原裝正品
詢價
NEXPERIA
19+
SOT-23
166
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
NEXPERIA/安世
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
詢價