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PBSS5250TH-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBSS5250TH-Q
廠商型號

PBSS5250TH-Q

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

FH

封裝外殼

SOT23

文件大小

264.6 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-16 11:08:00

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PBSS5250TH-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High collector current capability: IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? Higher efficiency leading to less heat genereation

? High temperature applications up to 175 °C

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Power management

? DC-to-DC conversion

? Supply line switches

? Battery charger switches

? Peripheral drivers

? Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

? Inductive load driver

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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