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PBSS5350T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS5350T
廠商型號

PBSS5350T

參數(shù)屬性

PBSS5350T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

功能描述

50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

絲印標(biāo)識(shí)

ZD

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.14899 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-9 20:00:00

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PBSS5350T規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

NPN complement: PBSS4350T

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

? High collector current capability

? High collector current gain

? Improved efficiency due to reduced heat generation

3. Applications

? Power management applications

? Low and medium power DC/DC converters

? Supply line switching

? Battery chargers

? Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS5350THR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    390mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5350TH/SOT23/TO-236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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