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PBSS8110D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

PBSS8110D
廠商型號

PBSS8110D
參數(shù)屬性

PBSS8110D 封裝/外殼為SC-74，SOT-457；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
功能描述

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
絲印標(biāo)識

A8
封裝外殼

SOT457 / SC-74，SOT-457
文件大小

286.32 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-4 22:30:00
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PBSS8110D規(guī)格書詳情

Features

* SOT457 package

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High efficiency, leading to less heat generation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PBSS8110D,115

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 250mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-74，SOT-457

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-TSOP

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 1A 6TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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