PD54008S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
PD54008S |
| 參數(shù)屬性 | PD54008S 封裝/外殼為PowerSO-10 裸露底部焊盤；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10 |
| 功能描述 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
| 文件大小 |
123.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-10 14:50:00 |
PD54008S規(guī)格書詳情
PD54008S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD54008S晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
DESCRIPTION
The PD54008 is a common source N-Channel, enhancement-mode, lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 7V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. PD54008 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD54008’s superior linearity performance makes it an ideal solution for portable radio.
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs
? EXCELLENT THERMAL STABILITY
? COMMON SOURCE CONFIGURATION
? POUT = 8 W with 10 dB gain @ 500 MHz / 7.5V
? NEW RF PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PD54008S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
500MHz
- 增益：
11.5dB
- 額定電流（安培）：
5A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PowerSO-10RF（直引線）
- 描述：
FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
NA |
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