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PD57018TR-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：PD57018TR-E品牌：STMicroelectronics

資料說明：TRANSISTOR RF POWERSO-10

PD57018TR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）的PD57018TR-E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    pd57018tr-e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    PD57018TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    16.5dB

  • 額定電流（安培）：

    2.5A

  • 功率 - 輸出：

    18W

  • 封裝/外殼：

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PowerSO-10RF（成形引線）

  • 描述：

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STM
22+
PowerSO-10RF
1800
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STMicroelectronics
24+
PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ST
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