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PD57070-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PD57070-E
廠商型號

PD57070-E

參數(shù)屬性

PD57070-E 封裝/外殼為PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

功能描述

RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

封裝外殼

PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)

文件大小

483.45 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-11 13:48:00

PD57070-E規(guī)格書詳情

PD57070-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的PD57070-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF.

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ POUT = 70 W with 14.7dB gain @945 MHz/28 V

■ New RF plastic package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PD57070-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    14.7dB

  • 額定電流(安培):

    7A

  • 功率 - 輸出:

    70W

  • 封裝/外殼:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerSO-10RF(成形引線)

  • 描述:

    FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
原廠原封
36900
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
ST
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10PowerSO
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