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PDTA114EEF

PNPresistor-equippedtransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA114EEF

PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespicka

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA114EK

PNPresistor-equippedtransistor

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistorinanSC-59plasticpackage.NPNcomplement:PDTC114EK. FEATURES ?Built-inbiasresistorsR1andR2(typ.10k?each) ?Simplificationofcircuitdesign ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS ?Especiallysuitableforspace

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA114EK

PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespicka

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA114EM

PNPresistor-equippedtransistors;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Built-inbiasresistors ■Simplifiescircuitdesign ■Reducescomponentcount ■Reducespicka

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA114EM

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistor;R1=10kΩ,R2=10kΩ

1.Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883(SC-101)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EM 2.Featuresandbenefits .100mAoutputcurrentcapability .Built-inbiasresistors .Simplifiescircuitdesig

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114EM

NPNresistor-equippedtransistors;R1=10k?,R2=10k?

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducespickandplacecosts ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114EMB

PNPresistor-equippedtransistor;R1=10k廓,R2=10k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114EQA

50V,100mAPNPresistor-equippedtransistors

Generaldescription 100mAPNPResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■reducedpickandplacecosts

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114EQA

50V,100mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?100mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?AEC-Q101qualified ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsolderjoint

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PDTA114EE T/R

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP/恩智浦
23+
SOT-416-3
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NXP/恩智浦
2022
SOT-416-3
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
NXP/恩智浦
11+
SOT-416-3
1986
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NXP
SOT
53650
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
NXP/恩智浦
SOT-416-3
893993
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
NXP/恩智浦
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價
NXP/恩智浦
23+
NA/
1000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
NXP/恩智浦
22+
SOT-416-3
20000
原裝現(xiàn)貨,實單支持
 詢價
NXP/恩智浦
2023+
SOT-416-3
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
NXP
23+
SOT
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
更多PDTA114EE T/R供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 11:00:00

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