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PDTA115EM

Marking：F6；Package：SOT-883；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA115EM

Marking：F6；Package：SOT-883；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA115EM

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA115EM

Marking：F6；Package：SC-101；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA115EMB

Marking：00100000；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA115EM,315

Package：SC-101，SOT-883；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

Package：3-XFDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006B-3

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PDTA115ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kW,R2=100kW

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k?,R2=100k? DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Re

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA115ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100k廓,R2=100k廓

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplif

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PDTA115ES

PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ

FEATURES ?Built-inbiasresistors ?Simplifiedcircuitdesign ?Reductionofcomponentcount ?Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Inverterandinterfacecircuits ?Circuitdriver.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PDTA115EM

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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Nexperia/安世
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更多PDTA115EM供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 11:00:00

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