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PDTA123YK

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTA123YK

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTA123YM

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTA123YM

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTA123YMB

PNPresistor-equippedtransistor;R1=2.2k廓,R2=10k廓

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTA123YS

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistors(RET). Features ■Built-inbiasresistors ■Reducescomponentcount ■Simplifiescircuitdesign ■Reducespickandplacecosts Applications ■Generalpurposeswitchingandamplification ■Circuitdrivers ■Inverterandinterfacecir

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTA123YS

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTA123YT

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PDTA123YT

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTA123YT

PNPresistor-equippedtransistors;R1=2.2kW,R2=10kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數

  • 型號：

    PDTA123YE T/R

  • 功能描述：

    開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PDTA123YE T/R供應商 更新時間2025-1-23 11:56:00

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