PDTB114ET分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PDTB114ET |
參數屬性 | PDTB114ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W |
功能描述 | 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors |
絲印標識 | |
封裝外殼 | TO-236AB / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
2.53615 Mbytes |
頁面數量 |
18 頁 |
生產廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導體(中國)有限公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
PDTB114ET規(guī)格書詳情
General description
PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Features
■ 500 mA output current capability
■ ±10 resistor ratio tolerance
■ Built-in bias resistors
■ AEC-Q101 qualified
■ Simplifies circuit design
■ High temperature applications?
■ Reduces component count up to 175 °C
Applications
■ IC inputs control
■ Switching loads
■ Cost-saving alternative to BC807 or BC817 series transistors in digital applications
產品屬性
- 產品編號:
PDTB114ETVL
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 50mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
100mV @ 2.5mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 0.46W
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
3750 |
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詢價 | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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Nexperia(安世) |
23+ |
SOT23 |
6000 |
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NXP |
SOT23 |
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SOT-23 |
23+ |
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NEXPERIA |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
SOT-23 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
400000 |
原廠原裝正品現貨 |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
10990 |
原裝正品 |
詢價 |