首頁>PDTB114ET>規(guī)格書詳情

PDTB114ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTB114ET
廠商型號

PDTB114ET

參數(shù)屬性

PDTB114ET 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.46W

功能描述

500 mA, 50 V PNP resistor-equipped transistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

2.53511 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 14:20:00

PDTB114ET規(guī)格書詳情

Features

? 500 mA output current capability

? Built-in bias resistors

? Simplifies circuit design

? Reduces component count

? ? 10 resistor ratio tolerance

? AEC-Q101 qualified

? High temperature applications

?up to 175 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PDTB114ETVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.46W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Nexperia/安世
22+
SOT23
400000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價
NXP/恩智浦
2021+
SOT-23
7600
原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價
詢價
NEXPERIA/安世
22+
SOT-23
10990
原裝正品
詢價
NXP/恩智浦
23+
SOT-23
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
NXP(恩智浦)
22+
NA
6000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價
NXP/恩智浦
21+
SOT-23
8080
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
詢價
NXP(恩智浦)
23+
N/A
6000
原裝正品 支持實單
詢價
NEXPERIA
17+16+
SOT23
6000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
NXP
2023+
SOT23
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
詢價
NXP/恩智浦
2023+
LQFP80
6000
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供
詢價