PDTC115ES分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PDTC115ES |
| 參數(shù)屬性 | PDTC115ES 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| 功能描述 | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | SOT-54 / TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線 |
| 文件大小 |
93.58 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
PDTC115ES,126
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
150mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1μA
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
NA/ |
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NXP |
2020+ |
SOT23 |
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NXP |
SOT23 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
NA |
6000 |
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詢價 | ||
NXP |
589220 |
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詢價 | ||||
NXP |
24+ |
SOT-23-3 |
18800 |
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詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
1535+ |
27000 |
詢價 | ||||
NXP |
24+ |
SOT23 |
56000 |
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
NXP恩智浦/PHILIPS飛利浦 |
24+ |
SOT-23 |
9200 |
新進庫存/原裝 |
詢價 |
