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PHB21N06T

TrenchMOS transistor Standard level FET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHB21N06T

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?FastSwitching ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

PHD21N06LT

N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible Applications: ?d.c.tod.c.co

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHD21N06LT

TrenchMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible Applications: ?d.c.tod.c.co

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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PHD21N06LT

N-channelTrenchMOS?transistorLogiclevelFET

FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. Applications:- ?d.c.tod.c.converters ?swi

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • 功能描述：

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
恩XP
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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SOT404(D2PAK)
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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SOT404
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多PHB21N06T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 17:06:00

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