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PHB27NQ10T中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHB27NQ10T
廠商型號

PHB27NQ10T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

303.53 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-9 19:15:00

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PHB27NQ10T規(guī)格書詳情

·DESCRIPTION

·Drain Current ID= 28A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·APPLICATIONS

·General purpose power amplifier

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PHB27NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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