PHD20N06T中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
PHD20N06T |
功能描述 | N-channel TrenchMOS standard level FET |
文件大小 |
379.72 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | 未知制造商 |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
恩XP |
中文名稱 | 未知制造商 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-7-10 17:31:00 |
人工找貨 | PHD20N06T價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多PHD20N06T規(guī)格書(shū)詳情
General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Features and benefits
■ Low conduction losses due to low on-state resistance
■ Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
Applications
■ DC-to-DC convertors
■ General purpose switching
■ Switched-mode power supplies
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PHD20N06T
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
2022+ |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | |||
恩XP |
24+ |
TO-252 |
504351 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
PHI |
24+ |
TO-252 |
27500 |
原裝正品,價(jià)格最低! |
詢價(jià) | ||
PHI |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售! |
詢價(jià) | ||
PHI |
24+ |
TO-252 |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
25+ |
SOT428 |
188600 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原廠原封可拆樣 |
65258 |
百分百原裝現(xiàn)貨,實(shí)單必成 |
詢價(jià) |