首頁(yè)>PHD20N06T>規(guī)格書(shū)詳情

PHD20N06T中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHD20N06T
廠商型號(hào)

PHD20N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

379.72 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡(jiǎn)稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-7-10 17:31:00

人工找貨

PHD20N06T價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

PHD20N06T規(guī)格書(shū)詳情

General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Low conduction losses due to low on-state resistance

■ Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ General purpose switching

■ Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHD20N06T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
PHI
2022+
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
詢價(jià)
恩XP
24+
TO-252
504351
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
PHI
24+
TO-252
27500
原裝正品,價(jià)格最低!
詢價(jià)
PHI
25+
TO-252
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售!
詢價(jià)
PHI
24+
TO-252
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
恩XP
24+
N/A
8000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售
詢價(jià)
恩XP
25+
SOT428
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
詢價(jià)
恩XP
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
恩XP
1822+
TO-252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢價(jià)
NEXPERIA/安世
24+
原廠原封可拆樣
65258
百分百原裝現(xiàn)貨,實(shí)單必成
詢價(jià)