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PHD22NQ20T

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=120mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHD22NQ20T

N-channel TrenchMOS standard level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHD22NQ20T-01

N-channel TrenchMOS standard level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    PHD22NQ20T

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多PHD22NQ20T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-29 16:36:00