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PHP21N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHP21N06T
廠商型號

PHP21N06T
功能描述

TrenchMOSO transistor Standard level FET
文件大小

65.06 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-6-20 11:24:00
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PHP21N06T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PHP21N06T

  • 功能描述：

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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