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PHP26N10E

PowerMOS transistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHP26N10E

PowerMOS transistor

恩XP

恩XP

EMB26N10

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

EMB26N10A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)30mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

EMB26N10E

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)30mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE
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更多PHP26N10E供應(yīng)商 更新時間2025-8-4 9:48:00