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PHP4N50E

PowerMOS transistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

4N50

4A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

4N50

4Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

4N50

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDT4N50NZU

MOSFET-Power,N-Channel,UniFETII,UltraFRFET500V,2A,3

Description UniFETIIMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOS technology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston?state resistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperior switchingperformanceandhigheravalancheen

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQB4N50

500VN-ChannelMOSFET

Features ?3.4A,500V,RDS(on)=2.7?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical10nC) ?LowCrss(typical6.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD4N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQD4N50

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQD4N50

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQI4N50

500VN-ChannelMOSFET

Features ?3.4A,500V,RDS(on)=2.7?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical10nC) ?LowCrss(typical6.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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更多PHP4N50E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-9 15:25:00

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