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PHP54N06T中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

PHP54N06T
廠商型號(hào)

PHP54N06T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

334.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-13 11:46:00

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PHP54N06T規(guī)格書(shū)詳情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PHP54N06T

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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