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PHP60N06T中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PHP60N06T
廠商型號

PHP60N06T

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

文件大小

64.319 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-11 20:00:00

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PHP60N06T規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

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