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PHPT61003NY

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.\n PNP complement: PHPT61003PY\n; ? High thermal power dissipation capability\n? Suitable for high temperature applications up to 175 °C\n? Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK\n? High energy efficiency due to less heat generation\n? AEC-Q101 qualified\n;

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PHPT61003NY

絲印：1003NAB；Package：LFPAK56；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

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PHPT61003NY-Q

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1003nab/marking.html">1003NAB；Package：SOT669；100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT61003PY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Suitableforhightemperatureapplicationsupto175°C ?

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PHPT61003NY-Q

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.\n PNP complement: PHPT61003PY-Q\n;

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PHPT61003NYX

100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

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PHPT61003NYX

Package：SC-100，SOT-669；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 100V 3A LFPAK56 PWRSO8

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技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    LFPAK56; Power-SO8

  • Product status：

    Production

  • VCEO [max] (V)：

    100

  • IC [max] (A)：

    3

  • hFE [min]：

    150

  • hFE [typ]：

    250

  • Polarity：

    NPN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多PHPT61003NY供應(yīng)商 更新時間2025-8-4 9:40:00

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