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PHU2N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

PHU2N50E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinCompactFluorescentLamps(CFL)andlowpowerballasts.ThePHU2N50EiscompatiblewithselfoscillatingandICdrivencircuits,includingtheUBA2021ballastcontrollerIC.Otherapplicationsinclu

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PHU2N50E

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

PHU2N50E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

恩XP

恩XP

PHY1252DS

CHIP-RAIL啟臣微
SOP8

CHIP-RAIL啟臣微

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更多PHU2N50E供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 11:04:00

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