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PMCM6501VPE

12 V, P-channel Trench MOSFET

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.\n; ? Low threshold voltage\n? Ultra small package: 0.98 × 1.48 × 0.35 mm\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n;

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

Nexperia

PMCM6501VPE

絲印：AD；Package：WLCSP6；12 V, P-channel Trench MOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

NEXPERIA

PMCM6501VPE_15

12 V, P-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PT6501

8AMPADJUSTABLEISRWITHSHORT-CIRCUITPROTECTION

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI

PT6501

SmallSIPFootprint

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

PT6501C

SmallSIPFootprint

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    WLCSP6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    -12

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    25

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    33

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    2000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -8.2

  • QGD [typ] (nC)：

    5

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    19.6

  • Ptot [max] (W)：

    0.556

  • VGSth [typ] (V)：

    -0.6

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    1400

  • Coss [typ] (pF)：

    430

  • Release date：

    2015-07-29

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
25+
WLCSP-6
5000
原廠原裝,價格優(yōu)勢
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恩XP
24+
SMD
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Nexperia
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
Nexperia/安世
22+
OL-PMCM6501VPE
90000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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更多PMCM6501VPE供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 14:03:00

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