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PMD16K80中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMD16K80
廠商型號(hào)

PMD16K80

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

227.69 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-8 16:20:00

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PMD16K80規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 80V(Min)

·DC Current Gain-

: hFE= 1000(Min)@ IC=10A

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and

low frequencyswitching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PMD16K80

  • 制造商:

    Solid State Devices Inc(SSDI)

  • 功能描述:

    TRANSISTORDARL NPN80V20ATO3

  • 制造商:

    SOLID STATE

  • 功能描述:

    TRANSISTOR,DARL, NPN,80V,20A,TO3

  • 功能描述:

    BJT, NPN, 100V, TO-3; Transistor

  • Polarity:

    NPN; Collector Emitter Voltage

  • V(br)ceo:

    100V; Power Dissipation

  • Pd:

    225W; DC Collector

  • Current:

    20A; DC Current Gain

  • hFE:

    1000; Operating Temperature

  • Min:

    -65C; Operating Temperature

  • Max:

    200C ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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