PMDPB55XP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
PMDPB55XP |
| 功能描述 | 20 V, dual P-channel Trench MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT1118 |
| 文件大小 |
1.63266 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-10 23:00:00 |
| 人工找貨 | PMDPB55XP價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PMDPB55XP規(guī)格書詳情
1.1 General description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless
ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using
Trench MOSFET technology.
1.2 Features and benefits
? Very fast switching
? Trench MOSFET technology
? Small and leadless ultra thin SMD
plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
? Exposed drain pad for excellent
thermal conduction
1.3 Applications
? Charging switch for portable devices
? DC/DC converters
? Small brushless DC motor drive
? Power management in battery-driven
portables
? Hard disc and computing power
management
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN6(2x2) |
7350 |
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詢價(jià) | ||
NEXP |
24+ |
DFN2020-6 |
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DFN2020-6 |
51000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
DFN2020-6 |
503197 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) |
