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PMDXB600UNE	文件：734.63 Kbytes Page：15 Pages	Marking：00；Package：SOT1216；20 V, dual N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PMDXB600UNE_15	文件：257.2 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual N-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PMDXB600UNEL	文件：741.34 Kbytes Page：16 Pages	Marking：C001；Package：DFN1010B-6；20 V, dual N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMH600UNE	文件：270.44 Kbytes Page：14 Pages	20V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETte	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PPTC600V	文件：350.15 Kbytes Page：2 Pages	PolymerPTCResettable600VSeries	YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd 音特電子上海音特電子有限公司	YINT

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	PMDXB600UNE	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	37048	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	PMDXB600UNE	恩XP	25+	DFN1010B-6	15620	NXP/恩智浦全新特價(jià)PMDXB600UNE即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價(jià)
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