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PMEG2010EV

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/f1/marking.html">F1；Package：SOT666；Low VF MEGA Schottky barrier diode

FEATURES ?Forwardcurrent:1A ?Reversevoltage:20V ?Verylowforwardvoltage ?UltrasmallSMDpackage ?Flatleads:excellentcoplanarityandimprovedthermalbehaviour. APPLICATIONS ?Lowvoltagerectification ?HighefficiencyDC/DCconversion ?Switchmodepowersupply ?Inversepolar

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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PMEG2010EV

Low VF MEGA Schottky barrier diode

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection in a SOT666 ultra small SMD plastic package.\n; ? Forward current: 1 A\n? Reverse voltage: 20 V\n? Very low forward voltage\n? Ultra small SMD package\n? Flat leads: excellent coplanarity and improved thermal behaviour.\n? AEC-Q101 qualified\n;

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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PMEG2010EV

Low VF MEGA Schottky barrier diode

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMEG2010EV

Low VF MEGA Schottky barrier diode

恩XP

恩XP

PMEG2010EV_15

Low VF MEGA Schottky barrier diode

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMEG2010EV,115

Package：SOT-563，SOT-666；包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOT666

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技術(shù)參數(shù)

  • Package version：

    SOT666

  • Package name：

    SOT666

  • Size (mm)：

    1.6 x 1.2 x 0.55

  • I_F (A)：

    1

  • V_R (V)：

    20

  • Configuration：

    single

  • I_R [max] (mA)：

    0

  • I_FSM [max] (A)：

    8

  • C_d [max] (pF)：

    25@VR=5V

  • V_F [max] (mV)：

    550@IF=1A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多PMEG2010EV供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:13:00

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