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PMFPB8032XP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMFPB8032XP
廠商型號

PMFPB8032XP
功能描述

20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination
絲印標識

1X
封裝外殼

SOT1118
文件大小

778.16 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-24 20:00:00
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PMFPB8032XP規(guī)格書詳情

1. General description

Small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) using Trench

MOSFET technology and ultra low VF Maximum Efficiency General Application (MEGA)

Schottky diode combined in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

? 1.8 V RDSon rated for low-voltage gate drive

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 × 2 × 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

? Integrated ultra low VF MEGA Schottky diode

3. Applications

? Charging switch for portable devices

? DC-to-DC converters

? Power management in battery-driven portables

? Hard disk and computing power management

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    PMFPB8032XP

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFET-SCHOTTKY 20V SOT1118

  • 功能描述：

    MOSFET-SCHOTTKY, 20V, SOT1118

  • 功能描述：

    MOSFET-SCHOTTKY, 20V, SOT1118; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    3A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    20V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.08ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    4.5V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    -600mV; No. of ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
23+
NA/
5757
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NXP(恩智浦)
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51000
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18000
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23+
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