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PMN120ENE

60 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n; ? Trench MOSFET technology\n? Logic-level compatible\n? Very fast switching\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n;

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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PMN120ENE

絲印：3K；Package：SOT457；60 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Logic-levelcompatible ?Veryfastswitching ?Electr

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PMN120ENEA

60 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n; ? Logic-level compatible\n? Extended temperature range Tj = 175 °C\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n? AEC-Q101 qualified\n;

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PMN120ENEA

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/j5/marking.html">J5；Package：TSOP6；60 V, N-channel Trench MOSFET

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PMN48XP

NEXPERIA/安世
SOT-457

NEXPERIA/安世

上傳：深圳市明嘉萊科技有限公司

NEXPERIA/安世

技術(shù)參數(shù)

  • Package version：

    SOT457

  • Package name：

    TSOP6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Number of transistors：

    1

  • V_DS [max] (V)：

    60

  • R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：

    123

  • R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：

    146

  • T_j [max] (°C)：

    150

  • I_D [max] (A)：

    3.1

  • Q_GD [typ] (nC)：

    1.1

  • Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：

    5.9

  • P_tot [max] (W)：

    0.5700000000000001

  • V_GSth [typ] (V)：

    1.7

  • Automotive qualified：

    N

  • C_iss [typ] (pF)：

    275

  • C_oss [typ] (pF)：

    24

  • Date：

    2017-12-18

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NEXPERIA/安世
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更多PMN120ENE供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:32:00

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