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PMN28UN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

PMN28UN

TrenchMOS? ultra low level FET

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. Productavailability: PMN28UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

PMN28UN

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.\n;

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

Nexperia

PMN28UN

TrenchMOS??ultra low level FET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PMN28UN

TrenchMOS? ultra low level FET

恩XP

恩XP

PMN28UNE

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/3g/marking.html">3G；Package：SOT457；20 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?Electro

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

NEXPERIA

PMN28UNE

20 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n; ? Trench MOSFET technology\n? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n;

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

Nexperia

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    TSOP6

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    20

  • VGS [max] (V)：

    8

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    32

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    45

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    2000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    7.1

  • QGD [typ] (nC)：

    1.4

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    6.2000003

  • Ptot [max] (W)：

    0.57

  • VGSth [typ] (V)：

    0.7

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    489.99997

  • Coss [typ] (pF)：

    86

  • Release date：

    2018-04-16

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
恩XP
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
39548
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
25+
SOT23-6
38298
NEXPERIA/安世全新特價(jià)PMN28UN即刻詢購立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
2019+
TSOP6
78550
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價(jià)
恩XP
2019+PB
TSOP6
13450
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
NEXPERIA/安世
24+
TSOP6
503552
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
NK/南科功率
2025+
SOT-23-6
3000
國(guó)產(chǎn)南科平替供應(yīng)大量
 詢價(jià)
PHI
24+
SOT363
9760
詢價(jià)
恩XP
24+
SOT-163
25000
一級(jí)專營(yíng)品牌全新原裝熱賣
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恩XP
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NEXPERIA
23+
SOT-163
57000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多PMN28UN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 23:00:00

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