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PMV19XNEA

Marking：3404B；Package：SOT-23；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyPMV19XNEA GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

PMV19XNEA

Marking：R3；Package：TO-236AB；30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFET

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多PMV19XNEA供應商 更新時間2025-1-26 8:00:00

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