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PMV30ENEA

Marking：R6；Package：TO-236AB；40 V N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFE

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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更多PMV30ENEA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 9:00:00

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