首頁 >PMXB120EPE>規(guī)格書列表

零件型號下載 訂購功能描述制造商 上傳企業(yè)LOGO

PMXB120EPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

General description\nP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n? Trench MOSFET technology\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plasti;

恩XP

恩XP

PMXB120EPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n; ? Trench MOSFET technology\n? Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 × 1.0 × 0.37 mm\n? Exposed drain pad for excellent thermal conduction\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1 kV HBM\n? Drain-source on-state resistance RDSon = 100 m?\n;

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

Nexperia

PMXB120EPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultrat

恩XP

恩XP

PMXB120EPE

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/10/marking.html">10；Package：SOT1215；30 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?TrenchMOSFETtechnology ?Leadlessultrasmallandultrathi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

NEXPERIA

PMXB120EPE_15

30 V, P-channel Trench MOSFET

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

技術參數(shù)

  • Package name：

    DFN1010D-3

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    -30

  • VGS [max] (V)：

    20

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：

    120

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    170

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • VESD HBM (V)：

    1000

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -2.4

  • QGD [typ] (nC)：

    1.1

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：

    6.2000003

  • Ptot [max] (W)：

    0.4

  • VGSth [typ] (V)：

    -1.5

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    309

  • Coss [typ] (pF)：

    41

  • Release date：

    2013-09-17

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
恩XP
24+
標準封裝
8048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質量保障
 詢價
NEXPERIA
23+
DFN1010D-3
51000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
恩XP
2447
DFN1010
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
NEXPERIA
1809+
DFN-3
3675
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
恩XP
21+
DFN1010
1897
詢價
恩XP
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
 詢價
恩XP
22+
NA
45000
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
恩XP
22+
3XDFN
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
恩XP
21+
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
 詢價
恩XP
22+
DFN1010
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價
更多PMXB120EPE供應商 更新時間2025-8-2 9:38:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多