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PTFA211801F	文件：275.87 Kbytes Page：11 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
PTFA211801F V4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
PTFA211801F V4 R250	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
PTFA211801E	文件：826.16 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
PTFA211801E	文件：275.87 Kbytes Page：11 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs180W,2110??2170MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司
PTFA211801E	文件：583.82 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET180W,2110-2170MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司

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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	PTFA211801F	INFINEON	24+	SMD	5500	長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實單可談	詢價
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