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PTFB201402FC分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
![PTFB201402FC](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
PTFB201402FC |
參數(shù)屬性 | PTFB201402FC 封裝/外殼為H-37248-4;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | High Power RF LDMOS Field Effect Transistor |
封裝外殼 | H-37248-4 |
文件大小 |
841.14 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-19 11:09:00 |
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PTFB201402FC規(guī)格書(shū)詳情
Description
The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal performance and superior reliability.
Features
? Broadband internal matching
? Typical CW performance, 28 V, single side
? ?- Output power, P1dB = 70 W
? ?- Efficiency = 56
? Integrated ESD protection
? Excellent thermal stability
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 70 W
? ?(CW) output power, per side
? Pb-free and RoHS-compliant
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PTFB201402FC-V1-R250
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
2.02GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 輸出:
20W
- 封裝/外殼:
H-37248-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-37248-4
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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