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PTFB211803ELV1R250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFB211803ELV1R250
廠商型號

PTFB211803ELV1R250
參數(shù)屬性

PTFB211803ELV1R250 封裝/外殼為H-33288-6；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
IC AMP RF LDMOS
封裝外殼

H-33288-6
文件大小

819.39 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-19 11:30:00

PTFB211803ELV1R250規(guī)格書詳情

PTFB211803ELV1R250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803ELV1R250晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    PTFB211803ELV1R250XTMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.17GHz

  • 增益：

    17.5dB

  • 功率 - 輸出：

    40W

  • 封裝/外殼：

    H-33288-6

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-33288-6

  • 描述：

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
2022+
H-34288-4
57550
詢價(jià)
INFINEON
2017+
NA
28562
只做原裝正品假一賠十!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價(jià)
INFINEON
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon Technologies
23+
H332886
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
H332886
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
INFINEON
23+
INFINEON
28520
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
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 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
H-33288-6
9350
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 詢價(jià)

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