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QA3118M6N

30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET

The QA3118M6N is a high performance trench Dual N-channel asymmetric MOSFETwhich utilizes extremely high cell density to provide low Rdson and gate charge characteristics.It is ideally suited to support synchronous buck converter applications. \n\n The QA3118M6N meets RoHS and Green Product req; ? Advanced high cell density Trench technology \n? Super Low Gate Charge \n? Excellent CdV/dt effect decline \n? Green Device Available;

uPI(UBIQ)uPI Semiconductor Corp

力智

uPI(UBIQ)

QA3118M6N

30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET

UPI

uPI Semiconductor Corp

UPI

QBB150A60

SANREX
模塊

SANREX

Sansha Electric Mfg. Co. Ltd.

上傳：深圳市金柏信電子有限公司

SANREX

QB-MINI2-CN

RENESAS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

上傳：深圳市正納電子有限公司

RENESAS

QCA-1023-0-115WLNSP-TR-03

QUALCOMM/高通
BGA

QUALCOMM/高通

技術(shù)參數(shù)

  • Package Type：

    PRPAK5*6

  • Configuration：

    Asymmerric Dual

  • MOSFET Type：

    N/N

  • VDS (V)：

    30/30

  • VGS (V)：

    ±20/±12

  • Vth max. (V)：

    2.5/2.5

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：

    5.0/1.9

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS4.5V：

    7.4/2.5

  • Ciss (pF)：

    861/3738

  • Coss (pF)：

    287/933

  • Crss (pF)：

    22/46

  • Qg(nC)：

    14.5/55.1

  • Qgs(nC)：

    2.8/10.8

  • Qgd(nC)：

    2.2/4.7

  • ID (A) Tc=25℃：

    63/115

  • ID (A) Tc=100℃：

    40/73

  • ID (A) TA=25℃：

    16/28

  • ID (A) TA=70℃：

    13/22

  • EAS.max(mj)：

    60.2/250.6

  • PD(W) Tc=25℃：

    31/37

  • PD (W) TA=25℃：

    2/2.2

  • ESD Diode：

    NO

  • Schottky Diode：

    NO

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多QA3118M6N供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 8:01:00

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