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QED422

PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

Description TheQED422/423isan880nmAlGaAsLEDencapsulatedinaclear,purpletinted,plasticTO-46package. Features ■λ=880nm ■Chipmaterial=AlGaAs ■Packagetype:PlasticTO-46 ■MatchedPhotosensor:QSD722/723/724 ■MediumWideEmissionAngle,30° ■HighOutputPower ■Packa

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

QED422

Plastic Infrared Light Emitting Diode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

QED422

AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE

QT

QT Optoelectronics

QED422

AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

QED422

Package:TO-46-2;包裝:散裝 類別:光電器件 LED 發(fā)射器 - 紅外,紫外,可見光 描述:EMITTER IR 880NM 100MA TO-46

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

QED422_05

Plastic Infrared Light Emitting Diode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    QED422

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    光電器件 > LED 發(fā)射器 - 紅外,紫外,可見光

  • 包裝:

    散裝

  • 類型:

    紅外(IR)

  • 電流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 時(shí)最小輻射強(qiáng)度 (Ie):

    10mW/sr @ 100mA

  • 波長:

    880nm

  • 電壓 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.8V

  • 視角:

    30°

  • 方向:

    頂視圖

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 100°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-46-2

  • 描述:

    EMITTER IR 880NM 100MA TO-46

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD
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更多QED422供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 10:18:00