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QM02N65D

N-Channel 650V Fast Switching MOSFET

The QM02N65D is a high performance N-channel MOSFET which utilizes high voltagetechnology to provide low Rdson and gate charge characteristics. It is ideally suitedto support most of SPS, Charger, Adapter and LED lighting applications. \n\n The QM02N65D meets RoHS and Green Product requirements; ? Super Low Gate Charge\n? Excellent CdV/dt effect decline\n? Green Device Available;

uPI(UBIQ)uPI Semiconductor Corp

力智

uPI(UBIQ)

QM02N65D

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

QM02N65D

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

DOINGTER

SDF02N65

Ruggedandreliable

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

Samhop

SSD02N65

2A,650V,RDS(ON)8N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSD02N65SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package Type：

    TO252

  • Configuration：

    Single

  • MOSFET Type：

    N

  • VDS (V)：

    650

  • VGS (V)：

    ±30

  • Vth max. (V)：

    5.0

  • RDS(ON) (mΩ)max. at VGS10V：

    8000

  • Ciss (pF)：

    290

  • Coss (pF)：

    25

  • Crss (pF)：

    4

  • Qg(nC)：

    8

  • Qgs(nC)：

    2.56

  • Qgd(nC)：

    2.67

  • ID (A) Tc=25℃：

    2

  • ID (A) Tc=100℃：

    1.3

  • EAS.max(mj)：

    16

  • PD(W) Tc=25℃：

    40

  • ESD Diode：

    NO

  • Schottky Diode：

    NO

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UBIQ
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TO-252
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更多QM02N65D供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 16:59:00

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