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R6007ENJ

10V驅(qū)動(dòng)型 Nch MOSFET

場效應(yīng)晶體管MOSFET。通過采用微細(xì)工藝的“超低導(dǎo)通電阻元件”，為用戶提供應(yīng)用廣泛的功率MOSFET。根據(jù)用途備有小型、大功率、復(fù)合化的豐富產(chǎn)品陣容，可滿足多樣的市場需求。; ? Low on-resistance\n? Fast switching speed\n? Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n? Drive circuits can be simple\n? Parallel use is easy\n? Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n;

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

R6007ENJ

Nch 600V 7A Power MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

R6007ENJ

絲印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

R6007ENX

Nch600V7APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

R6007ENX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

R6007JNJ

Nch600V7APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝：

    LPTS (D2PAK)

  • 包裝數(shù)量：

    1000

  • 最小獨(dú)立包裝數(shù)量：

    1000

  • 包裝形態(tài)：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    TO-263 (D2PAK)

  • JEITA Package：

    SC-83

  • Applications：

    Power Supply

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    600

  • Drain Current ID[A]：

    7

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.57

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.57

  • Total gate charge Qg[nC]：

    20

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    40

  • Drive Voltage[V]：

    10

  • Trr (Typ.)[ns]：

    340

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Bare Die Part Number：

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    10.1x13.1 (t=4.7)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ROHM
21+
TO-263(D2PAK)
21000
一級代理進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營
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TO-263(D2PAK)
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Rohm Semiconductor
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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更多R6007ENJ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 13:01:00

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