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R6007KNX

Nch 600V 7A 功率MOSFET

R6007KNJ是低導(dǎo)通電阻的高速開關(guān)速度的功率MOSFET。; ? Low on-resistance.\n? Ultra fast switching speed.\n? Parallel use is easy.\n? Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n;

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

ROHM

R6007KNX

Nch 600V 7A Power MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

ROHM

R6007KNX

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

R6007MNJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

RS6007MH

SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE400to1000VoltsCURRENT60Amperes

FEATURES *Lowleakage *Lowforwardvoltage *Surgeoverloadrating:500amperespeak *Mountingposition:Any *Idealforprintedcircuitboards *Highforwardsurgecurrentcapability *Superiorthermalconductivity

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

SBT-BGA-6007

Lowandstablecontactresistanceforreliableproductionyield

IRONWOOD

Ironwood Electronics.

IRONWOOD

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝：

    TO-220FM

  • 包裝數(shù)量：

    1000

  • 最小獨立包裝數(shù)量：

    50

  • 包裝形態(tài)：

    Tube

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    TO-220FM

  • Applications：

    Power Supply

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    600

  • Drain Current ID[A]：

    7

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.57

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.57

  • Total gate charge Qg[nC]：

    14.5

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    46

  • Drive Voltage[V]：

    10

  • Trr (Typ.)[ns]：

    302

  • Mounting Style：

    Leaded type

  • Bare Die Part Number：

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    10.1x15.1 (t=4.8)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多R6007KNX供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:07:00

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