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R6009ENX

10V驅(qū)動(dòng)型 Nch MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET。通過采用微細(xì)工藝的“超低導(dǎo)通電阻元件”，為用戶提供應(yīng)用廣泛的功率MOSFET。根據(jù)用途備有小型、大功率、復(fù)合化的豐富產(chǎn)品陣容，可滿足多樣的市場(chǎng)需求。; ? Low on-resistance\n? Fast switching speed\n? Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V\n? Drive circuits can be simple\n? Parallel use is easy\n? Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n;

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

R6009ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

R6009ENX

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

R6009ENX

Nch 600V 9A Power MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM

R61505W0F5QV

RENESAS
原廠原裝

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

上傳：深圳市賽爾通科技有限公司

RENESAS

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝：

    TO-220FM

  • 包裝數(shù)量：

    1000

  • 最小獨(dú)立包裝數(shù)量：

    50

  • 包裝形態(tài)：

    Tube

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    TO-220FM

  • Applications：

    Power Supply

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    600

  • Drain Current ID[A]：

    9

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：

    0.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.5

  • Total gate charge Qg[nC]：

    23

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    40

  • Drive Voltage[V]：

    10

  • Trr (Typ.)[ns]：

    380

  • Mounting Style：

    Leaded type

  • Bare Die Part Number：

    Available

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    10.1x15.1 (t=4.8)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多R6009ENX供應(yīng)商 更新時(shí)間2022-6-12 10:12:00

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