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RBU2006M	文件：162.47 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT20Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:300amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RBV2006S	文件：398.26 Kbytes Page：2 Pages	MoldingSingle-PhaseBridgeRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
RD2006FR	文件：240.2 Kbytes Page：3 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode Features ?VF=1.75Vmax(IF=20A) ?VRRM=600V ?trr=21ns(typ.) ?Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
RD2006FR	文件：247.3 Kbytes Page：6 Pages	PlanarUltrafastRectifier Features ?VF=1.75Vmax(IF=20A) ?VRRM=600V ?trr=21ns(typ.) ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RD2006FR-H	文件：348.1 Kbytes Page：6 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
RD2006FR-H	文件：247.3 Kbytes Page：6 Pages	PlanarUltrafastRectifier Features ?VF=1.75Vmax(IF=20A) ?VRRM=600V ?trr=21ns(typ.) ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
RD2006LS-SB	文件：230.53 Kbytes Page：3 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode Features ?Highbreakdownvoltage(VRRM=600V). ?Highreliability. ?Easytobemounted,goodheatdissipation. ?Fastreverserecoverytime. ?Lownoiseatthetimeofreverserecovery.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
RD2006RH-SB	文件：254.47 Kbytes Page：3 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingDiode DiffusedJunctionSiliconDiode Features ?VRRM=600V ?VF=1.75Vmax.(IF=20A) ?trr=21ns(typ.)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
RF2006	文件：249.06 Kbytes Page：5 Pages	SAWFilter	REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED 來億中國來億中國有限公司	REYCONNS
RG2006LN	文件：194.03 Kbytes Page：3 Pages	LowVF/High-SpeedSwitchingDiode Features ?Highbreakdownvoltage(VRRM=600V). ?Highreliability. ?One-pointfixingtypeplasticmoldpackagefacilitatingeasymountingandheatdissipation. ?Fastreverserecoverytime. ?Lownoiseatthetimeofreverserecovery.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
RJK2006DPE	文件：66.38 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPE	文件：127.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPE	文件：244.36 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPE	文件：250.56 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
RJK2006DPE-TL-E	文件：66.38 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPF	文件：127.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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