首頁 >RBN50H65T1FPQ-A0%23CB0>規(guī)格書列表
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650V-50A-IGBT Features ?Trenchgateandthinwafertechnology(G8Hseries) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Qualitygrade:Standard ?Highspeedswitching ?Non-specificationforshor | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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